Effective masses in Interconnect TWLM （在Interconnect TWLM中有效质量）

How can I calculate S-parameters for four layered design in interconnect? （在INTERCONNECT中如何计算四层设计的s参数

我在FDTD中计算了S-参数，并将其导入到互连中。我用了两种方法来比较我的结果。首先，我计算了每层的s参数，并提取它进行互连。第二种方法，我提取了一次整个结构的s参数，并将其导出进行互连。然而，传输图的结果却不尽相同。

我是否可以在互连中为我的设计可视化反射?

附件是两个结果的截图:

为了可视化反射，你可以用2个输入端口设置ONA，然后将第二个输入端口连接到s参数的“端口1”。在这种情况下，当您将光激发到s参数元件的“端口1”时，对该端口本身的反射可以被测量。

band offset in Interconnect TWLM （在Interconnect TWLM中的频带偏移）

波段偏移量(twlm。在Lumerical TWLM激光模型中定义QB和TWLM . schb) ?它们仅仅是量子阱和势垒之间的导带偏移还是量子阱和势垒之间的带隙能量差?

How to configure time events in Interconnect （在interconnect如何配置时间事件）

量子阱和势垒有效质量(twlm。定义在Lumerical TWLM激光模型中的QW_eff_mass和TWLM.qb_eff_mass) ?

它们只是这些材料中的电子有效质量吗?

https://en.wikipedia.org/wiki/Quantum_well

这些有效质量数用作热离子泄漏模型中的参数，以计算屏障上的载流子逃逸率。除了有效质量之外，对热离子发射（即逃逸率）很重要的另一个参数是势垒高度。逃逸率可以在量子阱（QW）和SCH势垒中定义。总逃逸率为：

1/tau_escape=1/tau_escape_electron+ 1/tau_escape_hole

由于通常一个项占主导地位，用户可以定义电子或空穴的有效质量和势垒高度，具体取决于哪个泄漏更占主导地位。对于QW逃逸率，使用的参数是QW有效质量和势垒高度，而对于SCH逃逸，重要参数是量子势垒（QB）有效质量和SCH势垒高度。

此外，一旦您根据上述解释决定是需要电子还是空穴有效质量，您就可以使用我们的电气材料数据库，创建III-V族合金材料作为半导体，并在对象树中的材料属性中检查有效质量值。或者，您可以使用自己的有效质量值来计算量子阱和势垒中的给定材料。