前面两期我们分别介绍了电光调制中常用的物理效应和常见的几种调制结构，其中包括了载流子注入型、载流子耗尽型以及载流子积累型在内的三中常见的调制结构，并简单总结了三种结构的调制机制、调制过程、所需的电极结构、以及优缺点和适用范围。对于载流子注入型调制结构而言，它的调制效率高，使用结构简单的集总电极，工艺简单利于制造，适用于对调制速度要求不高的片上传感等领域。载流子耗尽型调制结构依赖多数载流子的注入，它的调制速度快，多采用马赫-曾德尔型波导结构，并使用行波电极作为驱动电极，多应用于需要高速调制的领域。与前两种结构相比，载流子积累型也有较高的调制速度，但需要氧化物来充当电容，增加了工艺难度，现阶段应用范围较窄。本期我们针对硅光调制器的几种常见的光学结构，如微环谐振腔、马赫-曾德尔干涉仪、慢光谐振腔以及迈克尔逊干涉仪等，简单阐述这些结构的基本原理、调制机制、优缺点、性能参数和应用范围。1) 结构概述：
微环谐振器（Micro-Ring Resonator, MRR）作为典型的光学谐振器件，具有良好的波长选择性、腔内增强特性以及高品质因数，因此广泛应用于光学传感、光学滤波、激光器、调制器等领域。随着微纳加工工艺的发展，已经实现了半径为1.5μm的微环。对于激光器、调制器等有源器件而言，小的微环尺寸可实现小的驱动电流、高的调制频率。
如图1所示，典型的MRR结构由直波导和闭合环形波导两部组成，光从输入波导的输入端进入，传播至微环处一部分光以倏逝波的方式耦合到环形波导中，另一部分光从直通段输出。耦合进入环形波导的光在传播一周改变的相位正好等于2π的整数倍，与新耦合进入微环的光满足相干条件，两者相互干涉产生谐振增强效应。满足公式：
该公式称为微环的谐振条件公式，其中，R为微环半径；neff为微环中光的有效折射率；λ为谐振波长；m表示谐振级次（取整数）。满足谐振条件的光留在环形波导中，而不满足的光会从输出波导耦合输出。
从公式可以看出，谐振波长λ与波导的有效折射率neff成正比，利用电光效应改变微环有效折射率neff，相应的谐振波长就会发生偏移，实现电光调制。因此只需要微小的折射率改变就可以导致显著的谐振峰偏移，适合高速光调制领域。
图3：在Lumerical CHARGE中进行电学仿真
如图2、3为一个一个基于p-i-n结的硅基微环电光调制器，微环部分由p-i-n脊形波导构成，中间部分由本征硅作为波导，两边分别为p型和n型重掺杂区域，通过载流子注入机制实现电压对载流子浓度的调制。
从图4可以看到，施加不同偏置电压后，谐振峰发生了偏移，因此给器件加不同电压时，某一固定波长处的透射率发生改变，从而实现电信号到光信号的转换。微环结构的引入给硅基电光调制器的性能带来显著改善。①由于微环调制器的尺寸很小，可以集成在高密度的光子芯片上。②由于微环谐振腔的高Q值，微环调制器可以在较低功率下工作，有助于降低整体功耗。③能够实现高速调制，适用于高速光通信系统。微环结构的不足之处在于：①受限于谐振条件，微环调制器的调制带宽相对较小，对波长漂移非常敏感，不适用于宽带应用。②微环调制器对温度变化非常敏感，温度的波动可能导致共振波长的漂移，从而影响调制性能。需要额外设计补偿机制。目前提高器件性能的工作主要集中在电学性能方面，这限制了光电子器件各方面性能的提高主要问题。需要新型光学结构（如多环级联）与新的调制机制的来为微环调制器的发展注入新的血液。
Ansys Lumerical中的应用案例为Ring Modulator.
(相关链接为：https://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360042322794-Ring-Modulator)
马赫-曾德尔型调制器(Mach-Zehnder modulator, MZM)是利用相位调制实现强度调制的器件，广泛应用于铌酸锂电光调制器、硅基电光调制器等各类调制器件与光开关器件。典型的MZM结构如下图所示，分别由输入波导、输出波导、一个3 dB分束器、两个调制臂和一个3 dB合束器组成，两条调制臂通常为对称结构、也有非对称的情况。图中的两条调制臂为采用了载流子注入型、载流子耗尽型或者载流子积累型的硅波导。
当入射光从输入端输入，经过一个Y分支结构的3 dB分束器后，被分成功率相等的两束光，并分别进入两个调制臂中。由于两条调制臂是对称的，在无外加电压的情况下，两束光的相位相同，在合束器汇合时无相位差。根据干涉理论，两束光的相位差为零时，干涉相长，此时从输出端输出的光强最大，光信号可看作是“1”信号，当对其中的一臂施加外加电压进行调制时，该臂的有效折射率发生变化，两束光的相位发生改变，我们将两束光的相位分别记为φ1（经过调制的）和φ2：其中，β1、β1以及neff1、neff2分别表示光在两臂中的相位传播常数以及波导的有效折射率，λ为入射光的波长，当两束光在合束器汇合时，存在相位差，进行干涉后，光强不是最大值，若相位差为π，则干涉相消，在输出端无光信号，此时可视为“0”信号。MZM的长度通常为几个mm，根据微波传输线理论，当器件的长度大于工作波长的十分之一时，集总电极不再适用，而需要采用行波电极。MZM的行波电极通常采用共面波导结构，即把信号电极，其中的一个地电极与PN结相连。影响行波MZM的带宽主要因素由：①微波传输损耗；②微波-光速匹配条件；③阻抗匹配条件。MZM具有较宽的调制带宽，适用于宽带光通信系统，可以调制不同波长的信号，且其调制速率较快，适用于需要高速光调制的应用常见。但MZM往往需要较高的驱动电压，导致功耗较高；此外MZM的结构复杂，尺寸较大，不利于高密度集成的光子电路。
马赫-曾德尔调制器在Ansys Lumerical中的应用案例为Traveling Wave Mach-Zehnder Modulator。
(相关链接：https://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360042328774-Traveling-Wave-Mach-Zehnder-Modulator)
图7：行波马赫-曾德尔调制的设计流程
以上是对硅基电光调制器的两种典型光学结构，微环结构合马赫-曾德尔结构调制器的简单总结，并给出了Ansys lumerical 中的相关案例，感兴趣的读者可以点击上方对应链接，观看案例介绍并下载案例进行学习和研究。
文中如果有任何错误和不严谨之处，还望大家不吝指出，欢迎大家留言讨论。下期将继续介绍硅基光电调制器的其他几种光学结构，欢迎大家持续关注公众号的更新参考文献：
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[3] 周治平.硅基光电子学[M].科学出版社,2021.
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